GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling and its simulation

GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling and its simulation
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GaN基MSM光伏紫外探测器结构建模及其仿真

DOI:
10.1088/1674-4926/32/3/034005
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发表时间:
2011-03
期刊:
半导体学报
影响因子:
--
通讯作者:
Miao, Guoqing
Miao, Guoqing
中科院分区:
其他
文献类型:
--
作者:
Chen, Yiren;Song, Hang;Li, Dabing;Sun, Xiaojuan;Li, Zhiming;Jiang, Hong;Miao, Guoqing

文献摘要

参考文献

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基于金属-半导体-金属肖特基势垒光电探测器(MSM-PD)的工作原理,利用载流子速率方程,通过适当的等效电路,建立了GaN基MSM光伏紫外探测器的电路仿真模型,并对模型进行了仿真分析。
Based on the principles of metal—semiconductor—metal Schottky barrier photodetectors (MSM-PD), using the carrier rate equations, the circuit simulation model of a GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector is constructed through an appropriately equi
DOI: --
发表时间: 2007
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影响因子: --
作者:
Lu Yu-tian
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作者:
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