Infrared Inhibition of Flashover in Photoconductive Semiconductor Switch in High Electric Field
Infrared Inhibition of Flashover in Photoconductive Semiconductor Switch in High Electric Field
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高电场下光电导半导体开关闪络的红外抑制
DOI：
10.1109/lpt.2012.2215956
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发表时间：
2012-08
影响因子：
2.6
通讯作者：
Ming Xu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shi Wei;Ming Xu
半绝缘GaAs光电导开关在高压开关应用中具有很大的潜力。然而，在以往的实验中，沿面闪络会导致击穿，从而限制了其实用性。在这封信中，我们设计了一个
Semi-insulating GaAs photoconductive switches hold great potential for use in high-voltage switching applications. However, the utility is restricted by surface flashover, which resulted in breakdown in previous experiments. In this letter, we designed a
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DOI：
10.1109/ppc.2003.1277725
发表时间：
2003-06
期刊：
Digest of Technical Papers. PPC-2003. 14th IEEE International Pulsed Power Conference (IEEE Cat. No.03CH37472)
影响因子：
--
作者：
K. Kambour;H. Hjalmarson;C. Myles
通讯作者：
K. Kambour;H. Hjalmarson;C. Myles
DOI：
10.1109/27.901223
发表时间：
1999-06
期刊：
Digest of Technical Papers. 12th IEEE International Pulsed Power Conference. (Cat. No.99CH36358)
影响因子：
--
作者：
Alan Mar;G. Loubriel;F. Zutavern;M. O’Malley;W. Helgeson;D. J. Brown;H. Hjalmarson;Albert G. Baca;R. L. Thornton;R. D. Donaldson
通讯作者：
Alan Mar;G. Loubriel;F. Zutavern;M. O’Malley;W. Helgeson;D. J. Brown;H. Hjalmarson;Albert G. Baca;R. L. Thornton;R. D. Donaldson
影响因子：
1.3
作者：
J. Gunn
通讯作者：
J. Gunn
半绝缘GaAs光电导开关中光激活电荷域的限流效应
影响因子：
4
作者：
通讯作者：
--
影响因子：
3.5
作者：
Xu Ming;Shi Wei;Hou Lei;Xue Hong;Shen-Jiang Wu;Hui-Ying Dai
通讯作者：
Xu Ming;Shi Wei;Hou Lei;Xue Hong;Shen-Jiang Wu;Hui-Ying Dai