A quasi-3-dimensional simulation method for a high-voltage level-shifting circuit structure
A quasi-3-dimensional simulation method for a high-voltage level-shifting circuit structure
复制标题
一种高压电平转换电路结构的准三维仿真方法
DOI：
10.1088/1674-4926/30/12/125001
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发表时间：
2009-12
影响因子：
5.1
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
提出了一种新的准三维数值模拟高压电平移位电路结构的方法。结合二维器件结构分析了三维结构的性能，二维器件在两个平面上
A new quasi-three-dimensional (quasi-3D) numeric simulation method for a high-voltage level-shifting circuit structure is proposed. The performances of the 3D structure are analyzed by combining some 2D device structures; the 2D devices are in two planes
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DOI：
10.1109/ispsd.1996.509488
发表时间：
1996-05
期刊：
8th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs. ISPSD '96. Proceedings
影响因子：
--
作者：
T. Fujihira;Y. Yano;S. Obinata;N. Kumagai;K. Sakurai
通讯作者：
T. Fujihira;Y. Yano;S. Obinata;N. Kumagai;K. Sakurai
DOI：
10.1109/ispsd.1994.583792
发表时间：
1994-05
期刊：
Proceedings of the 6th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics
影响因子：
--
作者：
K. Endo;Y. Baba;Y. Udo;M. Yasui;Y. Sano
通讯作者：
K. Endo;Y. Baba;Y. Udo;M. Yasui;Y. Sano
DOI：
10.1109/iccdcs.2006.250883
发表时间：
2006-04
期刊：
2006 International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems
影响因子：
--
作者：
R. Romo
通讯作者：
R. Romo
DOI：
10.1109/wct.2004.240218
发表时间：
2004-05
期刊：
2004 Proceedings of the 16th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
影响因子：
--
作者：
K. Shimizu;S. Rittaku;J. Moritani
通讯作者：
K. Shimizu;S. Rittaku;J. Moritani
DOI：
--
发表时间：
2010-09
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
石井将人
通讯作者：
石井将人