Electron-irradiated n+-Si as hole injection tunable anode of organic light-emitting diode
Electron-irradiated n+-Si as hole injection tunable anode of organic light-emitting diode
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电子辐照n-Si作为有机发光二极管空穴注入可调阳极
DOI：
10.1007/s00340-012-5255-7
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Luo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Z. Li;Z. L. Wang;Y. Z. Wang;H. Luo
传统上，n型硅由于其极低的空穴浓度而不被认为是有机发光二极管（OLED）的良好阳极;然而，当掺杂作为载流子产生中心的Au元素时，它可以，如我们先前的工作所示。在这项研究中，我们证明了一种新的载流子产生中心的n+型硅，这是由5 MeV的电子辐照产生的缺陷。通过调节电子辐照时间可以控制辐照n+-Si阳极中载流子产生中心的密度，从而优化了具有辐照n+-Si阳极的OLED中的空穴注入电流，使得它们的最大效率比具有未辐照n+-Si阳极的OLED高得多。以辐照后的n+-Si为阳极的绿色磷光OLED的电流效率和功率效率分别达到12.1 cd/A和4.2 lm/W。
Traditionally, n-type silicon is not regarded as a good anode of organic light emitting diode (OLED) due to the extremely low hole concentration in it; however, when doped with Au element which acts as carrier generation centers, it can be, as shown in our previous work. In this study, we demonstrate a new kind of carrier generation centers in n+-type silicon, which are the defects produced by 5 MeV electron irradiation. The density of carrier generation centers in the irradiated n+-Si anode can be controlled by tuning the electron irradiation time, and thus hole injection current in the OLEDs with the irradiated n+-Si anode can be optimized, leading to their much higher maximum efficiencies than those of the OLEDs with non-irradiated n+-Si anode. For a green phosphorescent OLED with the irradiated n+-Si anode, the current efficiency and power efficiency reach up to 12.1 cd/A and 4.2 lm/W, respectively.
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