Formation, atomic structure, and electronic properties of GaSb quantum dots in GaAs
Formation, atomic structure, and electronic properties of GaSb quantum dots in GaAs
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GaAs 中 GaSb 量子点的形成、原子结构和电子特性
DOI：
10.14279/depositonce-1740
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Rainer Timm
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Rainer Timm
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GaAs 基质中 In0.1Ga0.9As 层过度生长的 In0.8Ga0.2As 量子点的反转截锥成分分布
影响因子：
4
作者：
A. Lenz;R. Timm;H. Eisele;C. Hennig;S. K. Becker;R. Sellin;U. W. Pohl;D. Bimberg;M. Dähne
通讯作者：
M. Dähne
分级自组装GaAs/AlGaAs量子点的结构研究
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Lenz;R. Timm;H. Eisele;L. Ivanova;Dominik Martin;V. Voßebürger;A. Rastelli;O. Schmidt;M. Dähne
通讯作者：
M. Dähne
GaAs 上层结构和 InAs 量子点的设计
DOI：
--
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
Márquez Bertoni;M. Juan
通讯作者：
M. Juan
截面扫描隧道显微镜测定 InAs 和 InGaAs 量子点的原子结构
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Eisele;A. Lenz;C. Hennig;R. Timm;M. Ternes;M. Dähne
通讯作者：
M. Dähne
InGaAs量子点的横截面扫描隧道显微镜
DOI：
--
发表时间：
1998
期刊：
Technical Digest. Summaries of Papers Presented at the Conference on Lasers and Electro-Optics. Conference Edition. 1998 Technical Digest Series, Vol.6 (IEEE Cat. No.98CH36178)
影响因子：
--
作者：
C. Harnett;S. Evoy;H. Craighead;K. Pond;J. H. Kim;A. Gossard
通讯作者：
A. Gossard