A.Takano and K.Ueka.: "Desorption Study of Proton from H/Si(100)by Electron Stimulated Desorption Spectroscopy." Appl.Surface.Sci.;.
A.Takano and K.Ueka.: "Desorption Study of Proton from H/Si(100)by Electron Stimulated Desorption Spectroscopy." Appl.Surface.Sci.;.
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A.Takano 和 K.Ueka.：“通过电子受激解吸光谱法对 H/Si(100) 中的质子进行解吸研究。”
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Si(100)c(4 × 4)结构的形成和原子构型
影响因子：
1.9
作者：
K. Kato;T. Ide;T. Nishimori;T. Ichinokawa
通讯作者：
T. Ichinokawa
受激H解吸阈值与俄歇线形状-Si(100)-H中观察到的局域态的相关性
影响因子：
3.7
作者：
H. H. Madden;D. R. Jennison;M. Traum;G. Margaritondo;N. Stoffel
通讯作者：
N. Stoffel
ESDIAD 在清洁且暴露于 H 的 Si(111)-(7 × 7) 上化学吸附氢的研究
影响因子：
1.9
作者：
R. Wallace;P. Taylor;W. J. Choyke;J. Yates
通讯作者：
J. Yates
氢和碱吸附的 Si(111) 表面的电子刺激解吸
影响因子：
4
作者：
T. Yasue;A. Ichimiya;S. Ohtani
通讯作者：
S. Ohtani
GaAs 表面态激子的证据 (110)
影响因子：
8.6
作者：
G. Lapeyre;J. Anderson
通讯作者：
J. Anderson