Probing weak localization in chemical vapor deposition graphene wide constriction using scanning gate microscopy
Probing weak localization in chemical vapor deposition graphene wide constriction using scanning gate microscopy
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使用扫描门显微镜探测化学气相沉积石墨烯宽收缩中的弱定位
DOI：
10.1088/0957-4484/27/7/075601
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
3.5
通讯作者：
Y. Ochiai and C-T. Liang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C. Chuang;M. Matsunaga;F-H. Liu;T-P. Woo;N. Aoki;L-H. Lin;B-Y. Wu;Y. Ochiai and C-T. Liang
石墨烯的低温扫描门显微镜（LT-SGM）研究允许人们获得关于相干输运的重要空间信息，例如弱局域化（WL）和普遍电导波动。虽然在文献中已经报道了通过机械剥离制备的原始石墨烯上的迷人的LT-SGM结果，但似乎缺乏化学气相沉积（CVD）生长的石墨烯上的LT-SGM结果，其大规模和柔性衬底可转移性使其成为相干电子应用的理想候选者。为此，我们对CVD生长的石墨烯宽收缩（0.8 μm）进行了LT-SGM研究，该研究可以通过与晶圆代工厂完全兼容的具有成本效益的光学光刻法在WL制度中容易地制备。我们发现，可移动的局部栅极可以灵敏地调制的CVD石墨烯收缩的总电导可能是由于本征晶界和合并域，在相干电子学中的应用程序的一个很大的优势。此外，通过LT-SGM的这种电导调制提供了用于研究相干输运（诸如石墨烯中的WL）和空间电导变化的额外的、近似与磁场无关的探针。
Low-temperature scanning gate microscopy (LT-SGM) studies of graphene allow one to obtain important spatial information regarding coherent transport such as weak localization (WL) and universal conductance fluctuations. Although fascinating LT-SGM results on pristine graphene prepared by mechanical exfoliation have been reported in the literature, there appears to be a dearth of LT-SGM results on chemical vapor deposition (CVD)-grown graphene whose large scale and flexible substrate transferability make it an ideal candidate for coherent electronic applications. To this end, we have performed LT-SGM studies on CVD-grown graphene wide constriction (0.8 μm), which can be readily prepared by cost-effective optical lithography fully compatible with those in wafer foundry, in the WL regime. We find that the movable local gate can sensitively modulate the total conductance of the CVD graphene constriction possibly due to the intrinsic grain boundaries and merged domains, a great advantage for applications in coherent electronics. Moreover, such a conductance modulation by LT-SGM provides an additional, approximately magnetic-field-independent probe for studying coherent transport such as WL in graphene and spatial conductance variation.
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DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Kotai Butsuri 42
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
Yuichi Ochiai
影响因子：
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作者：
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通讯作者：
Huant, S.
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8.6
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Altshuler, B. L.
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影响因子：
--
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通讯作者：
N. Aoki;Carlo Requião da Cunha;R. Akis;D. Ferry;Y. Ochiai