Effect of the unintentional incorporation of Al during the molecular beam epitaxial growth of GaInNAs quantum well
Effect of the unintentional incorporation of Al during the molecular beam epitaxial growth of GaInNAs quantum well
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GaInNAs 量子阱分子束外延生长过程中无意掺入 Al 的影响
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Kondow
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.D. Wu;M. Kato;M. Uchiyama;K. Higashi;F. Ishikawa;and M. Kondow
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DOI：
10.1143/jjap.35.1273
发表时间：
1996-02-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
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作者：
Kondow, M;Uomi, K;Yazawa, Y
通讯作者：
Yazawa, Y
金属有机气相外延生长的含铝层上 GaInNAs 量子阱的形态不稳定性
影响因子：
4
作者：
P. Sundgren;C. Asplund;K. Baskar;M. Hammar
通讯作者：
M. Hammar
超过 1500 nm 的低阈值 InGaAsN/GaAs 激光器
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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作者：
G. Jaschke;R. Averbeck;L. Geelhaar;H. Riechert
通讯作者：
H. Riechert
发射波长超过1.3/spl mu/m的低阈值GaInNA单量子阱激光器
影响因子：
1.1
作者：
K. Adachi;K. Nakahara;J. Kasai;T. Kitatani;T. Tsuchiya;M. Aoki;M. Kondow
通讯作者：
M. Kondow
金属有机化学气相沉积和 1.3 µm InGaAsN 垂直腔表面发射激光器生长的 InGaAsN 量子阱中的铝污染
影响因子：
1.5
作者：
T. Takeuchi;Ying;M. Leary;D. Mars;Yoon Kyu Song;S. D. Roh;H. Luan;L. Mantese;A. Tandon;R. Twist;S. Belov;D. Bour;M. Tan
通讯作者：
M. Tan