Bandgap Engineering in Wurtzite GaAs Nanowires by Hydrostatic Pressure
Bandgap Engineering in Wurtzite GaAs Nanowires by Hydrostatic Pressure
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通过静水压力进行纤锌矿砷化镓纳米线的带隙工程
DOI：
10.1088/0256-307x/32/7/077803
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发表时间：
2015-07
影响因子：
3.5
通讯作者：
Sun Bao-Quan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ni Hai-Qiao;Niu Zhi-Chuan;Jiang De-Sheng;Sun Bao-Quan
采用静水压6 K下的光致发光方法研究了纤锌矿（WZ） GaAs纳米线（NWs）的能带结构。我们证明了WZ GaAs NWs具有直接带隙跃迁，其发射能量为1.53 eV，对应于WZ GaAs中导带Γ7C和价带Γ9V之间的光学跃迁。施加大约高于2.5 GPa的压力可以观察到直接到伪直接的带隙转变。
Band structure of wurtzite (WZ) GaAs nanowires (NWs) is investigated by using photoluminescence measurements under hydrostatic pressure at 6 K. We demonstrate that WZ GaAs NWs have a direct bandgap transition with an emission energy of 1.53 eV, corresponding to the optical transition between conduction band Γ7C and valence band Γ9V in WZ GaAs. The direct-to-pseudodirect bandgap transition can be observed by applying a pressure approximately above 2.5 GPa.
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