Three-Terminal Device for Realizing a Voltage-Driven Spin Transistor
Three-Terminal Device for Realizing a Voltage-Driven Spin Transistor
复制标题
用于实现电压驱动自旋晶体管的三端子器件
DOI：
10.1109/tmag.2015.2455021
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发表时间：
2015
影响因子：
2.1
通讯作者：
Y. Suzuki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Shiota;D. Sekiya;R. Matsumoto;A. Fukushima;K. Yakushiji;T. Nozaki;K. Konishi;S. Miwa;H. Kubota;S. Yuasa;Y. Suzuki
我们提出了一种三端器件，其中包含一个磁性隧道结（MTJ），其中自由层磁化可以通过电压诱导的磁各向异性变化由单独的栅极控制，换句话说，电压驱动的自旋晶体管。我们开发了一种三端结构的制造工艺，其中漏极和源极结通过公共自由层连接。理论计算使我们能够讨论如何实现高功率增益。由于栅极电阻随着结尺寸的减小而减小，所以可以用较小的结尺寸获得较高的功率增益。如果采用电阻面积积小于5 Ω · μ m2、结尺寸小于50 nm的MTJ，则可以实现大于104的功率放大。这种用于实现电压驱动自旋晶体管的三端器件结构代表了对高性能自旋晶体管的发展的有希望的贡献。
We propose a three-terminal device incorporating a magnetic tunnel junction (MTJ) in which the free layer magnetization can be controlled by the separated gate electrode through voltage-induced magnetic anisotropy change-in other words, a voltage-driven spin transistor. We have developed a process for fabricating a three-terminal structure in which the drain and source junctions are connected through the common free layer. The theoretical calculations allow us to discuss how to achieve high-power gain. Because the gate resistance decreases as the junction size decreases, higher power gain can be obtained with a smaller junction size. Power amplification of greater than 104 is achievable if we employ an MTJ with a resistance-area product less than 5 Ω · μm2and a junction size less than 50 nm. This three-terminal device structure for realizing a voltage-driven spin transistor represents a promising contribution to the development of high-performance spin transistors.
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自旋晶体管的研究趋势
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
応用物理学会薄膜・表面物理分科会主催第34回薄膜・表面セミナー 34
影响因子：
--
作者：
S.Sugahara;M.Tanaka;S.Sugahara;菅原聡
通讯作者：
菅原聡
影响因子：
2.3
作者：
Maehara, Hiroki;Nishimura, Kazumasa;Yuasa, Shinji
通讯作者：
Yuasa, Shinji
影响因子：
4
作者：
Jonathan Z. Sun;M. Gaidis;E. O'Sullivan;E. Joseph;G. Hu;D. Abraham;J. Nowak;P. Trouilloud;Yu Lu;S. Brown;D. Worledge;W. Gallagher
通讯作者：
Jonathan Z. Sun;M. Gaidis;E. O'Sullivan;E. Joseph;G. Hu;D. Abraham;J. Nowak;P. Trouilloud;Yu Lu;S. Brown;D. Worledge;W. Gallagher
自旋转矩写入 MRAM 单元的三端方法
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
P. Braganca
通讯作者：
P. Braganca
影响因子：
4
作者：
Bauer, GEW;Brataas, A;van Wees, BJ
通讯作者：
van Wees, BJ