Insight into the Reaction Scheme of SiO2 Film Deposition at Atmospheric Pressure
Insight into the Reaction Scheme of SiO2 Film Deposition at Atmospheric Pressure
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深入了解常压下 SiO2 薄膜沉积的反应方案
DOI：
10.1002/ppap.201300059
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发表时间：
2013
影响因子：
3.5
通讯作者：
J. Benedikt
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Rügner;R. Reuter;D. Ellerweg;A. von Keudell;J. Benedikt
在He/HMDSO(/O2)等离子体化学中，利用常压微等离子体射流的表征和模拟，确定了类SiO_2膜形成的反应机理和几个气相反应的反应速率常数。使用可变长度的石英管，可以在不改变等离子体性质的情况下很好地控制气体在等离子体流出物中的停留时间。开发了一种可能的反应方案。通过模拟可以再现薄膜的沉积速率、沉积轮廓、薄膜的碳含量以及HMDSO的耗竭情况。模拟结果表明，在He(/O2)等离子体中，HMDSO优先解离为(CH3)3SiO和Si(CH3)3，前者是主要的生长前驱体。
Characterisation of an atmospheric pressure microplasma jet in combination with simulations have been used to determine reaction mechanism of SiO2‐like film formation and reaction rate constants for several gas phase reactions in the He/hexamethyldisiloxane (HMDSO)(/O2) plasma chemistry. Using a variable‐length quartz tube, the gas residence time in the plasma effluent could be well controlled without changing plasma properties. A possible reaction scheme has been developed. Deposition rates, deposited profiles, carbon content of the films and the depletion of HMDSO could be reproduced by the simulation. The simulation indicates that HMDSO in He(/O2) plasma dissociates preferentially into (CH3)3SiO and Si(CH3)3, where the former radical serves as a main growth precursor.
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--
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影响因子：
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