A high-resolution method for quantum confinement transport simulations in MOSFETs
A high-resolution method for quantum confinement transport simulations in MOSFETs
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MOSFET 中量子约束输运模拟的高分辨率方法
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Odanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Nishibata;M.Suzuki;S.Odanaka
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DOI：
10.1109/sispad.2000.871241
发表时间：
2000
期刊：
2000 International Conference on Simulation Semiconductor Processes and Devices (Cat. No.00TH8502)
影响因子：
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作者：
M. Ancona;B. Biegel
通讯作者：
B. Biegel
密度梯度方程的离散化格式及边界条件的影响
影响因子：
2.1
作者：
T. Tang;Xinlin Wang;Yiming Li
通讯作者：
Yiming Li
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Ancona
通讯作者：
M. Ancona
Si 中窄栅诱导沟道中的电子态
影响因子：
4
作者：
S. Laux;F. Stern
通讯作者：
F. Stern
超小型 MOSFET 结构量子漂移扩散模型的多维离散化
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 23
影响因子：
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作者：
K.Nishihara;T.Yang;H.Zhao;S.Odanaka
通讯作者：
S.Odanaka