Multidimensional discretization of the quantum drift-diffusion model for ultrasmall MOSFET structures
Multidimensional discretization of the quantum drift-diffusion model for ultrasmall MOSFET structures
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超小型 MOSFET 结构量子漂移扩散模型的多维离散化
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Odanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Nishihara;T.Yang;H.Zhao;S.Odanaka
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DOI：
10.1109/sispad.2000.871241
发表时间：
2000
期刊：
2000 International Conference on Simulation Semiconductor Processes and Devices (Cat. No.00TH8502)
影响因子：
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作者：
M. Ancona;B. Biegel
通讯作者：
B. Biegel
MOS 隧道效应的密度梯度分析
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Ancona;Zhiping Yu;R. Dutton;P. V. Voorde;M. Cao;D. Vook
通讯作者：
D. Vook
光学信息处理的遗产
DOI：
10.1117/12.449646
发表时间：
2001
期刊：
SPIE Optics + Photonics
影响因子：
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作者：
F. Yu
通讯作者：
F. Yu
SMART-II：亚微米 MOSFET 的三维 CAD 模型
DOI：
10.1109/43.79499
发表时间：
1991
期刊：
IEEE Trans. Comput. Aided Des. Integr. Circuits Syst.
影响因子：
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作者：
S. Odanaka;A. Hiroki;K. Ohe;K. Moriyama;H. Umimoto
通讯作者：
H. Umimoto
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Ancona
通讯作者：
M. Ancona