Parasitic Inductances Extraction for SiC Power Modules Using An Enhanced Two-Port S-Parameter Approach

Parasitic Inductances Extraction for SiC Power Modules Using An Enhanced Two-Port S-Parameter Approach
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使用增强型两端口 S 参数方法提取 SiC 功率模块的寄生电感

DOI:
10.1109/apec42165.2021.9487325
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发表时间:
2021
期刊:
2021 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC
影响因子:
--
通讯作者:
Zhao, Yue
Zhao, Yue
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Wang, Zhongjing;Yuan, Zhao;Zhao, Yue

文献摘要

参考文献

被引文献

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