In situ X-ray photoelectron spectroscopic and density-functional studies of Si atoms adsorbed on a C_<60> film
In situ X-ray photoelectron spectroscopic and density-functional studies of Si atoms adsorbed on a C_<60> film
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C_<60> 薄膜上吸附 Si 原子的原位 X 射线光电子能谱和密度泛函研究
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Hara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.Onoe;A.Nakao;T.Hara
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C 60 @Si 60 的 Ab Initio HF 和密度泛函理论研究
DOI：
10.1080/10641229809350200
发表时间：
1998
期刊：
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影响因子：
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作者：
E. Jemmis;J. Leszczynski;Eiji Ozsawac
通讯作者：
Eiji Ozsawac
通过电子能量损失谱研究C60外延膜与Si()-7×7表面之间的相互作用
影响因子：
1.9
作者：
K. Iizumi;K. Saiki;A. Koma
通讯作者：
A. Koma
C60 与 SiC 的脉冲激光分离
影响因子：
1.5
作者：
H. Koinuma;Min;Mamoru Yoshimoto Mamoru Yoshimoto
通讯作者：
Mamoru Yoshimoto Mamoru Yoshimoto
XPS 光聚合 C60 薄膜
影响因子：
1.3
作者：
A. Nakao;J. Onoe;K. Takeuchi
通讯作者：
K. Takeuchi
有序 C60 覆盖层上 Si 和 Ge 团簇的生长和表征
影响因子：
1.4
作者：
D. Klyachko;D. M. Chen
通讯作者：
D. M. Chen