Asymmetric Error Rates of Cell States Exploration for Performance Improvement on Flash Memory Based Storage Systems
Asymmetric Error Rates of Cell States Exploration for Performance Improvement on Flash Memory Based Storage Systems
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基于闪存存储系统性能改进的单元状态非对称错误率探索
DOI：
10.1109/tcad.2016.2626446
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发表时间：
2017-08
影响因子：
2.9
通讯作者：
Xue Chun Jason
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sha Edwin H M;Gao Congming;Shi Liang;Wu Kaijie;Zhao Mengying;Xue Chun Jason
最近的研究表明，一个多级单元闪存单元在不同的状态遭受不同程度的不同的错误模式。也就是说，每个页面的错误率高度依赖于数据内容。因此，具有不同数据的页面将
Recent studies show that a multilevel cell flash cell in different states suffers from diverse error patterns in varying degrees. That is, the error rates of each page are highly dependent on the data content. Consequently, pages with different data will
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DOI：
10.1109/isscc.2013.6487709
发表时间：
2013-03
期刊：
2013 IEEE International Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers
影响因子：
--
作者：
Kin-Chu Ho;Po-Chao Fang;Hsiang-Pang Li;Cheng-Yuan Michael Wang;Hsie-Chia Chang
通讯作者：
Kin-Chu Ho;Po-Chao Fang;Hsiang-Pang Li;Cheng-Yuan Michael Wang;Hsie-Chia Chang
DOI：
10.1145/2591971.2591994
发表时间：
2014-06
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Yu Cai;Gulay Yalcin;O. Mutlu;E. Haratsch;O. Unsal;A. Cristal;K. Mai
通讯作者：
Yu Cai;Gulay Yalcin;O. Mutlu;E. Haratsch;O. Unsal;A. Cristal;K. Mai
DOI：
10.1109/isqed.2014.6783387
发表时间：
2014-03
期刊：
Fifteenth International Symposium on Quality Electronic Design
影响因子：
--
作者：
Ping Chi;Cong Xu;Xiaochun Zhu;Yuan Xie
通讯作者：
Ping Chi;Cong Xu;Xiaochun Zhu;Yuan Xie
DOI：
10.1109/codes-isss.2013.6658994
发表时间：
2013-09
期刊：
2013 International Conference on Hardware/Software Codesign and System Synthesis (CODES+ISSS)
影响因子：
--
作者：
Renhai Chen;Yi Wang;Z. Shao
通讯作者：
Renhai Chen;Yi Wang;Z. Shao
DOI：
10.1145/2593069.2593203
发表时间：
2014-06
期刊：
2014 51st ACM/EDAC/IEEE Design Automation Conference (DAC)
影响因子：
--
作者：
Liang Shi;Kaijie Wu;Mengying Zhao;C. Xue;E. Sha
通讯作者：
Liang Shi;Kaijie Wu;Mengying Zhao;C. Xue;E. Sha