The Study of Reactive Ion Etching of Heavily Doped Polysilicon Based on HBr/O(2)/He Plasmas for Thermopile Devices.
The Study of Reactive Ion Etching of Heavily Doped Polysilicon Based on HBr/O(2)/He Plasmas for Thermopile Devices.
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基于HBr/O-2/He等离子体的热电堆器件重掺杂多晶硅反应离子刻蚀研究
DOI：
10.3390/ma13194278
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发表时间：
2020-09-25
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Wang W
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhou N;Li J;Mao H;Liu H;Liu J;Gao J;Xiang J;Hu Y;Shi M;Ju J;Lei Y;Yang T;Li J;Wang W
重掺杂多晶硅层已广泛应用于微机电系统（MEMS）的制造中。然而，对于高选择性、各向异性和高均匀性的重掺杂多晶硅刻蚀的研究受到限制。在这项工作中，反应离子刻蚀未掺杂和重掺杂的多晶硅基溴化氢（HBr）等离子体进行了比较。详细研究了重掺杂多晶硅的刻蚀机理。最后的结果表明，重掺杂多晶硅的各向异性分布可以获得基于HBr等离子体工艺。热电偶的电阻均匀性达到± 2.11%。该技术为热电堆等MEMS器件的制作提供了一条有效的途径。
Heavily doped polysilicon layers have been widely used in the fabrication of microelectromechanical systems (MEMS). However, the investigation of high selectivity, anisotropy, and excellent uniformity of heavily doped polysilicon etching is limited. In this work, reactive ion etching of undoped and heavily doped polysilicon-based hydrogen bromide (HBr) plasmas have been compared. The mechanism of etching of heavily doped polysilicon is studied in detail. The final results demonstrate that the anisotropy profile of heavily doped polysilicon can be obtained based on a HBr plasma process. An excellent uniformity of resistance of the thermocouples reached ± 2.11%. This technology provides an effective way for thermopile and other MEMS devices fabrication.
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