Post deposition annealing of epitaxial Ce(1-x)Pr(x)O(2-δ) films grown on Si(111).
Post deposition annealing of epitaxial Ce(1-x)Pr(x)O(2-δ) films grown on Si(111).
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Si(111) 上生长的外延 Ce(1-x)Pr(x)O(2-δ) 薄膜的沉积后退火
DOI：
10.1039/c5cp01105a
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Wollschläger
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Wilkens;W. Spieß;M.H. Zoellner;G. Niu;T. Schroeder;J. Wollschläger
本文采用低能电子衍射结合斑点轮廓分析研究了Si（111）衬底上生长的Ce 1 − xPrxO 2 −δ（x = 0.20，0.35和0.75）薄膜在沉积后退火过程中的结构和形貌变化。氧化膜的表面呈现出由单原子台阶分隔的大台阶的马赛克。结果表明，Ce/Pr比和沉积后退火温度可以调节晶粒的镶嵌扩展、台阶尺寸和台阶高度。形态的变化是伴随着从萤石型晶格的方铁锰矿结构的相变。此外，在高PDA温度下，观察到经由多晶中间态的硅酸盐形成。
In this work the structural and morphological changes of Ce1−xPrxO2−δ (x = 0.20, 0.35 and 0.75) films grown on Si(111) due to post deposition annealing are investigated by low energy electron diffraction combined with a spot profile analysis. The surface of the oxide films exhibit mosaics with large terraces separated by monoatomic steps. It is shown that the Ce/Pr ratio and post deposition annealing temperature can be used to tune the mosaic spread, terrace size and step height of the grains. The morphological changes are accompanied by a phase transition from a fluorite type lattice to a bixbyite structure. Furthermore, at high PDA temperatures a silicate formation via a polycrystalline intermediate state is observed.
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