Resonant tunneling transport through silicon double quantum dot
Resonant tunneling transport through silicon double quantum dot
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通过硅双量子点的共振隧道传输
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.W.Liu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
鈴木隆;奥田隆明;H.W.Liu
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硅中施主的轨道斯塔克效应和量子限制跃迁
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Rahman;G. Lansbergen;Seung;J. Verduijn;Gerhard Klimeck;S. Rogge;L. Hollenberg
通讯作者：
L. Hollenberg
影响因子：
4
作者：
J. Verduijn;M. Vinet;S. Rogge
通讯作者：
J. Verduijn;M. Vinet;S. Rogge
影响因子：
3.7
作者：
Culcer, Dimitrie;Hu, Xuedong;Das Sarma, S.
通讯作者：
Das Sarma, S.
通过与 Si/SiGe 量子点耦合的杂质隧道进行传输
影响因子：
4
作者：
Foote, Ryan H.;Ward, Daniel R.;Prance, J. R.;Gamble, John King;Nielsen, Erik;Thorgrimsson, Brandur;Savage, D. E.;Saraiva, A. L.;Friesen, Mark;Coppersmith, S. N.
通讯作者：
Coppersmith, S. N.
影响因子：
3.7
作者：
JAGANNATH, C;GRABOWSKI, ZW;RAMDAS, AK
通讯作者：
RAMDAS, AK