Formation of coupled three-dimensional GeSi quantum dot crystals
Formation of coupled three-dimensional GeSi quantum dot crystals
复制标题
耦合三维GeSi量子点晶体的形成
DOI：
10.1063/1.3702883
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发表时间：
2012-04
影响因子：
4
通讯作者：
Z. M. Jiang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. J. Ma;Z. Zhong;Q. Lv,;T. Zhou;X. J. Yang;Y. L. Fan;Y. Q. Wu;J. Zou;Z. M. Jiang
通过在SOI（001）衬底上多层生长量子点，实现了三维GeSi量子点晶体的耦合生长。这些量子点的光致发光光谱显示量子点中激子的非声子（NP）复合及其横光学（TO）声子复制。随着激发功率的增加，NP峰和TO峰的峰能量几乎保持不变，TO峰的宽度减小。PL峰的这些异常特征归因于由于空穴的强耦合而形成的微带和由于有序GeSi量子点中的周期性散射而出现的准光学声子模式。
Coupled three-dimensional GeSi quantum dot crystals (QDCs) are realized by multilayer growth of quantum dots (QDs) on patterned SOI (001) substrates. Photoluminescence spectra of these QDCs show non-phonon (NP) recombination and its transverse-optical (TO) phonon replica of excitons in QDs. With increasing excitation power, peak energies of both the NP and TO peaks remain nearly constant and the width of the TO peak decreases. These anomalous features of the PL peaks are attributed to miniband formation due to strong coupling of the holes and the emergence of quasioptical phonon modes due to periodic scatters in ordered GeSi QDs.
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影响因子：
3.5
作者：
Yanwu Chen;Bingying Pan;T. Nie;Peixuan Chen;F. Lu;Zuimin Jiang;Z. Zhong
通讯作者：
Yanwu Chen;Bingying Pan;T. Nie;Peixuan Chen;F. Lu;Zuimin Jiang;Z. Zhong
影响因子：
1.1
作者：
Chuanbo Li;G. Yamahata;J. Xia;H. Mizuta;S. Oda;Y. Shiraki
通讯作者：
Chuanbo Li;G. Yamahata;J. Xia;H. Mizuta;S. Oda;Y. Shiraki
DOI：
10.1088/0953-8984/12/49/312
发表时间：
2000-12
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
S. Pizzini;M. Guzzi;E. Grilli;G. Borionetti
通讯作者：
S. Pizzini;M. Guzzi;E. Grilli;G. Borionetti
影响因子：
4
作者：
G. Capellini;M. Seta;C. Spinella;F. Evangelisti
通讯作者：
G. Capellini;M. Seta;C. Spinella;F. Evangelisti
影响因子：
4
作者：
Yan-Ru Chen;C. Kuan;Y. Suen;Yuheng Peng;Peng Chen;C. Chao;Eih-Zhe Liang;Ching-Fuh Lin;H. Lo
通讯作者：
Yan-Ru Chen;C. Kuan;Y. Suen;Yuheng Peng;Peng Chen;C. Chao;Eih-Zhe Liang;Ching-Fuh Lin;H. Lo