Fabrication and characterization of active and sequential circuits on WPG controlled GaAs hexagonal nanowire networks
Fabrication and characterization of active and sequential circuits on WPG controlled GaAs hexagonal nanowire networks
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WPG 控制的 GaAs 六角纳米线网络上有源和时序电路的制造和表征
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Nakamura and T. Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.-Q. Zhao;S. Kasai;T. Nakamura and T. Hashizume
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异质结构微电子学的未来及其材料研究对其进展的作用（特邀）
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
IEICE Trans. Electron. E89-C
影响因子：
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作者：
H. Hasegawa;S. Kasai;T. Sato;T. Hashizume
通讯作者：
T. Hashizume
利用六角 BDD 量子电路方法在砷化镓基六角纳米线网络上设计和实现超小尺寸和超低功耗数字系统
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
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影响因子：
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作者：
S. Kasai;M. Yumoto;T. Sato;H. Hasegawa
通讯作者：
H. Hasegawa
采用新型六角 BDD 量子电路方法制造基于 GaAs 的集成 2 位半加法器和全加法器
DOI：
10.1109/isdrs.2001.984596
发表时间：
2001
期刊：
2001 International Semiconductor Device Research Symposium. Symposium Proceedings (Cat. No.01EX497)
影响因子：
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作者：
Kasai Seiya;M. Yumoto;Hideki Hasegawa;S. Kasai
通讯作者：
S. Kasai
利用 GaAs/AlGaAs 纳米线肖特基绕栅控制的二元决策图逻辑架构的新型量子线分支开关
影响因子：
1.5
作者：
M. Yumoto;S. Kasai;H. Hasegawa
通讯作者：
H. Hasegawa
使用 III-V 覆盖分支纳米线网络及其纳米肖特基栅极控制的基于图的量子集成电路
DOI：
10.1109/drc.2002.1029536
发表时间：
2002
期刊：
60th DRC. Conference Digest Device Research Conference
影响因子：
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作者：
S. Kasai;M. Yumoto;T. Fukushi;T. Muranaka;H. Hasegawa
通讯作者：
H. Hasegawa