Monte Carlo Simulation of Hall Mobility in 4H-SiC MOS Inversion Layers
Monte Carlo Simulation of Hall Mobility in 4H-SiC MOS Inversion Layers
复制标题
4H-SiC MOS 反型层中霍尔迁移率的蒙特卡罗模拟
DOI：
--
复制
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hajime Tanaka and Nobuya Mori
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Magnelli;Boogaard;Decarli;Gonzalez-Lopez;Novak;Popping;Smail;Walter;Aravena;Assef;Bauer;Bertoldi;Carilli;Cortes;Cunha;Daddi;Diaz-Santos;Inami;Ivison;Fevre;Oesch;Riechers;Rix;Sargent;Werf;Wagg;and Weiss;Hajime Tanaka and Nobuya Mori
登录
查看更多内容
影响因子：
3.2
作者：
S. Takagi;J. Hoyt;J. Welser;J. Gibbons
通讯作者：
S. Takagi;J. Hoyt;J. Welser;J. Gibbons
(0001) 和 (112´0) 4H-SiC 反型层中电子传输的模拟
影响因子：
3.2
作者：
G. Pennington;N. Goldsman
通讯作者：
N. Goldsman
由于相关杂质簇而导致的电离杂质散射。
影响因子：
3.7
作者：
Widdershoven Fp
通讯作者：
Widdershoven Fp
SiC 短沟道 MOSFET 阈值电压的估算
影响因子：
3.1
作者：
K. Tachiki;T. Ono;Takuma Kobayashi;Hajime Tanaka;T. Kimoto
通讯作者：
T. Kimoto
影响因子：
3.1
作者：
Uhnevionak, Viktoryia;Burenkov, Alexander;Pichler, Peter
通讯作者：
Pichler, Peter