Distortion of electronic structure in HfO2 induced by the out-diffused As from GaAs substrate
Distortion of electronic structure in HfO2 induced by the out-diffused As from GaAs substrate
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GaAs 衬底外扩散 As 引起 HfO2 电子结构畸变
DOI：
10.1063/1.4804059
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发表时间：
2013-05
影响因子：
3.2
通讯作者：
Zhang, David Wei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lu, Hong-Liang;Wang, Peng-Fei;Ding, Shi-Jin;Zhang, David Wei
As的外扩散被认为是GaAs基器件的关键问题之一。通过第一性原理计算研究了As外扩散引起的HfO 2电子结构畸变。As通过As 4p和Hf 5d的相互作用扩散到HfO 2的氧空位中，在HfO 2的价带顶以上产生了1.38 ~ 2.33 eV的带隙态;而间隙As不仅引入了两个带隙态，而且还向HfO 2的导带贡献了一个电子。这些研究结果提供了一个解释的退化的电性能的GaAs半导体。
The out diffusion of As is considered as one of the key issues of GaAs-based devices. We performed first-principles calculation to study the electronic structure distortion of HfO2 induced by out-diffused As. As diffused into oxygen vacancy of HfO2 results in several gap states ranging from 1.38 eV to 2.33 eV above HfO2 valence band maximum through As 4p and Hf 5d interaction; on the other hand, interstitial As not only introduces two gap states but also donates one electron to the conduction band of HfO2. These findings provide an interpretation for the degraded electrical performance of dielectrics on GaAs.
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影响因子：
3.7
作者：
Kresse, G;Furthmuller, J
通讯作者：
Furthmuller, J
影响因子：
3.1
作者：
Dalapati, Goutam Kumar;Tong, Yi;Cho, Byung Jin
通讯作者：
Cho, Byung Jin
DOI：
10.1016/j.mseb.2006.08.018
发表时间：
2006-12-15
期刊：
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
影响因子：
--
作者：
Oktyabrsky, S.;Tokranov, V.;Lee, J. C.
通讯作者：
Lee, J. C.
影响因子：
3.2
作者：
Chen, P. T.;Sun, Y.;Chui, C. O.
通讯作者：
Chui, C. O.
影响因子：
4
作者：
Hongliang Lu;Liang Sun;S. Ding;Min Xu;David-Wei Zhang;Li-Kang Wang
通讯作者：
Hongliang Lu;Liang Sun;S. Ding;Min Xu;David-Wei Zhang;Li-Kang Wang