Photoluminescence measurements in Be-σ-doped back-gated quantum well
Photoluminescence measurements in Be-σ-doped back-gated quantum well
复制标题
Be-σ 掺杂背栅量子阱中的光致发光测量
DOI:
--
复制
发表时间:
2005
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
Yamaguchi
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
M.;Yamaguchi
DOI:
10.1103/physrevb.50.17309
发表时间:
1994
期刊:
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子:
--
作者:
Bertram;Grahn;Van Hoof C;Jan Genoe;Borghs;Ruehle;von Klitzing K
通讯作者:
von Klitzing K
影响因子:
4
作者:
Chichibu, SF;Sugiyama, M;Okumura, H
通讯作者:
Okumura, H
影响因子:
4
作者:
G. Bunea;W. Herzog;M. Unlu;B. Goldberg;R. Molnar
通讯作者:
R. Molnar