Lifetime reliability characterization of N/MEMS used in power gating of digital integrated circuits
Lifetime reliability characterization of N/MEMS used in power gating of digital integrated circuits
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用于数字集成电路功率门控的 N/MEMS 的寿命可靠性表征
DOI：
10.1109/dft.2017.8244452
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Alrudainy H
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Alrudainy H
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用于低功耗数据驱动计算的异步微管道中的功率门控
影响因子：
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作者：
Austin Ogweno;A. Yakovlev;P. Degenaar
通讯作者：
P. Degenaar
使用异步微管道和纳米机电继电器的超低能耗数据驱动计算
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
IEEE Computer Society Annual Symposium on VLSI
影响因子：
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作者：
Haider Alrudainy;A. Mokhov;Fei Xia;A. Yakovlev
通讯作者：
A. Yakovlev
在低功耗应用中使用 MEMS 开关的 VLSI 电路的电源门控
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
ICM 2011 Proceeding
影响因子：
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作者：
Hosam Shobak;M. Ghoneim;Nawal El Boghdady;S. Halawa;Sophinese Iskander;M. Anis
通讯作者：
M. Anis
针对异构多核系统中突发工作负载的基于 MEMS 的运行时空闲能量最小化
DOI：
10.1109/patmos.2018.8464152
发表时间：
2018
期刊：
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影响因子：
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作者：
Aalsaud A
通讯作者：
Aalsaud A
钨电极 MEM 继电器接触电阻稳定性表征
影响因子：
2.7
作者：
Yenhao Chen;R. Nathanael;J. Jeon;Jack Yaung;Louis Hutin;T. Liu
通讯作者：
T. Liu