Investigation of defect levels in undoped-BaSi2 epitaxial films and the effect of atomic hydrogen passivation by photoluminescence measurement
Investigation of defect levels in undoped-BaSi2 epitaxial films and the effect of atomic hydrogen passivation by photoluminescence measurement
复制标题
通过光致发光测量研究未掺杂 BaSi2 外延膜中的缺陷水平以及原子氢钝化的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and T. Suemasu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
L. Benincasa;H. Hoshida;T. Deng;T. Sato;Z. Xu;K. Toko;Y. Terai;and T. Suemasu
登录
查看更多内容
BaSi2 和硅上碱土金属硅化物薄膜
影响因子：
4
作者：
R. Mckee;F. Walker;J. Conner;R. Raj
通讯作者：
R. Raj
多晶硅中位错和氧沉淀物引起的深能级光致发光
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Tajima;Y. Iwata;Futoshi Okayama;H. Toyota;H. Onodera;T. Sekiguchi
通讯作者：
T. Sekiguchi
通过深能级瞬态光谱表征 Si(111) 上未掺杂 n-BaSi2 外延膜的缺陷能级
影响因子：
1.5
作者：
H. Takeuchi;W. Du;M. Baba;R. Takabe;K. Toko;T. Suemasu
通讯作者：
T. Suemasu
室温下通过光致发光映射表征半导体
DOI：
--
发表时间：
1990
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Tajima
通讯作者：
M. Tajima
p-Si(111)衬底上BaSi2同质结太阳能电池的运行及其结构参数对其性能的影响
影响因子：
2.3
作者：
Kodama Komomo;Yamashita Yudai;Toko Kaoru;Suemasu Takashi
通讯作者：
Suemasu Takashi