ALD Growth of MgxCa1–xO on GaN and Its Band Offset Analysis
ALD Growth of MgxCa1–xO on GaN and Its Band Offset Analysis
复制标题
GaN 上 MgxCa1-xO 的 ALD 生长及其能带偏移分析
DOI：
10.1021/acsaelm.0c00977
复制
发表时间：
2021
影响因子：
4.7
通讯作者：
Gordon, Roy. G.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gong, Xian;Lou, Xiabing;King, Sam Bok;Gordon, Roy. G.
利用自制的以酰胺为前驱体的原子层沉积(ALD)反应器，在GaN衬底上生长了氧化镁和氧化钙。在此基础上，通过调节沉积温度，确定了沉积纯MgxCa1-xO薄膜的最佳沉积条件，获得了无碳和羟基污染的高质量薄膜。用X射线光电子能谱对不同成分的MgxCa1-xO/GaN样品进行了能带偏移分析。Mg0.25Ca0.75O/GaN显示了无缺陷和完全钉扎的能带排列，而其他比例则显示出接近完全钉扎的排列，这与我们以前的研究取得的最好的电学性质一致。这一结果表明，能带偏移分析为了解氧化物/半导体结构的部分电学和界面性质提供了良好的帮助。
Atomic layer deposition (ALD) processes were developed for growing MgO and CaO on GaN substrates using a home-built ALD reactor with amidinate-based precursors. An optimal deposition condition was then determined to deposit pure MgxCa1–xO by tuning deposition temperature, achieving a high-quality film without carbon and hydroxyl contamination. Band offset analysis was conducted by X-ray photoelectron spectroscopy on MgxCa1–xO/GaN samples with various compositions. Mg0.25Ca0.75O/GaN demonstrated band alignments between defect-free and fully pinned, while other ratios showed near fully pinned alignments, which agree with the best electrical properties achieved in our previous studies. This result indicates that band offset analysis provides a good aid in understanding part of the electrical and interfacial properties for oxide/semiconductor structures.
登录
查看更多内容
用于碳化硅 MOS 应用的替代镁钙氧化物栅极电介质
DOI：
10.1557/proc-0911-b14-03
发表时间：
2006
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
--
作者：
D. Stodilka;A. Gerger;M. Hlad;Purushottam Kumar;B. Gila;R. Singh;C. Abernathy;S. Pearton;F. Ren
通讯作者：
F. Ren
氮化物表面化学对外延氧化物/GaN 界面能带偏移的影响
影响因子：
4
作者：
E. Paisley;M. Brumbach;C. T. Shelton;A. Allerman;S. Atcitty;Christina M. Rost;J. A. Ohlhausen;B. Doyle;Z. Sitar;J. Maria;J. Ihlefeld
通讯作者：
J. Ihlefeld
原子层沉积 MgO、Al2O3 和 MgAl2O4 薄膜的制备及表征
影响因子：
2.1
作者：
R. Huang;A. Kitai
通讯作者：
A. Kitai
MgCaO阴极层在等离子显示面板中的应用以获得高发光效率
影响因子：
3.1
作者：
Tae;H. Cheong;Ohyung Kwon;K. Whang
通讯作者：
K. Whang
MgO、MgO:Si、MgO:Sc 和 MgCaO 的阴极发光诊断
影响因子：
2.3
作者：
Wen;H. Tolner;Qing Li
通讯作者：
Qing Li