Low threshold GaInAs quantum well lasers grown under low growth rate by solid-source MBE for 1200 nm wavelength range
Low threshold GaInAs quantum well lasers grown under low growth rate by solid-source MBE for 1200 nm wavelength range
复制标题
通过固源 MBE 在低生长速率下生长的低阈值 GaInAs 量子阱激光器，波长范围为 1200 nm
DOI：
--
复制
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
F.Koyama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M.Ohta;T.Miyamoto;T.Matsuura;Y.Matsui;T.Furuhata;T.Iwasaki;Y.Kashihara;F.Koyama
通过金属有机化学气相沉积生长的 1.24-/spl mu/m GaInNAs 激光器的室温连续波操作
影响因子：
4.9
作者：
S. Sato;S. Satoh
通讯作者：
S. Satoh
高性能 1.3 µm InGaAs 垂直腔表面发射激光器
影响因子：
1.1
作者：
P. Sundgren;R. M. V. Würtemberg;J. Berggren;M. Hammar;M. Ghisoni;V. Oscarsson;E. Odling;J. Malmquist
通讯作者：
J. Malmquist
1.2 [微标志]米范围GaInAs SQW激光器，使用Sb作为表面活性剂
影响因子：
1.1
作者：
H. Shimizu;K. Kumada;S. Uchiyama;A. Kasukawa
通讯作者：
A. Kasukawa