Lifetime Prediction Model of Stress-induced Voiding in Cu/low-k Interconnects
Lifetime Prediction Model of Stress-induced Voiding in Cu/low-k Interconnects
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Cu/低 k 互连中应力引起的空洞的寿命预测模型
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yokogawa;S.
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DOI：
10.1109/iedm.2002.1175948
发表时间：
2002
期刊：
Digest. International Electron Devices Meeting,
影响因子：
--
作者：
T. Oshima;K. Hinode;H. Yamaguchi;H. Aoki;K. Torii;T. Saito;K. Ishikawa;J. Noguchi;M. Fukui;T. Nakamura;S. Uno;K. Tsugane;J. Murata;K. Kikushima;H. Sekisaka;E. Murakami;K. Okuyama;T. Iwasaki
通讯作者：
T. Iwasaki
应力引起的空洞及其几何依赖性表征
DOI：
10.1109/relphy.2003.1197737
发表时间：
2003
期刊：
2003 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual.
影响因子：
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作者：
K. Doong;R.C.J. Wang;S.C. Lin;L. Hung;C. Chiu;D. Su;K. Wu;K. L. Young;Y.K. Peng
通讯作者：
Y.K. Peng
连接到宽铜金属引线的通孔下应力引起的空洞
DOI：
10.1109/relphy.2002.996654
发表时间：
2002
期刊：
2002 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings. 40th Annual (Cat. No.02CH37320)
影响因子：
--
作者：
E. Ogawa;Joe W. McPherson;J. A. Rosal;K. J. Dickerson;Tz;L. Y. Tsung;M. K. Jain;Tom Bonifield;J. C. Ondrusek;William R. McKee
通讯作者：
William R. McKee
通过在 Ta/TaN 势垒层下插入 Ti 层来抑制通孔和 Cu 宽线之间应力引起的开路故障
DOI：
10.1109/iedm.2002.1175946
发表时间：
2002
期刊：
Digest. International Electron Devices Meeting,
影响因子：
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作者：
M. Ueki;M. Hiroi;N. Ikarashi;T. Onodera;N. Furutake;M. Yoshiki;Y. Hayashi
通讯作者：
Y. Hayashi
双镶嵌铜互连中通孔电阻热稳定性的改善
DOI：
10.1109/iedm.2000.904273
发表时间：
2000
期刊：
International Electron Devices Meeting 2000. Technical Digest. IEDM (Cat. No.00CH37138)
影响因子：
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作者：
T. Oshima;T. Tamaru;K. Ohmori;H. Aoki;H. Ashihara;Tatsuyuki Saito;H. Yamaguchi;M. Miyauchi;K. Torii;J. Murata;A. Satoh;H. Miyazaki;K. Hinode
通讯作者：
K. Hinode