H.Kobayashi: "Palladium-Promoted oxidation of Si at low temperatures" Appl.Surf.Sci.
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H.Kobayashi：“钯在低温下促进硅的氧化”Appl.Surf.Sci。
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金属-氧化物-半导体器件中氧化物和半导体核心能级的界面态诱导变化
影响因子：
3.2
作者：
H. Kobayashi;Kenji Namba;Y. Yamashita;Y. Nakato;T. Komeda;Y. Nishioka
通讯作者：
Y. Nishioka
Na 促进的 Si 氧化：特定的氧化机制。
DOI：
10.1103/physrevb.49.2943
发表时间：
1994
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Faraci;La Rosa S;Pennisi;Margaritondo
通讯作者：
Margaritondo
碱金属促进的 Si(100)2 x 1 表面氧化：覆盖范围依赖性和非定域性。
DOI：
10.1103/physrevb.39.12775
发表时间：
1989
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Starnberg;Soukiassian;Hurych
通讯作者：
Hurych
硅基金属氧化物半导体结构的低温催化形成
影响因子：
3.2
作者：
H. Kobayashi;T. Yuasa;Y. Nakato;K. Yoneda;Y. Todokoro
通讯作者：
Y. Todokoro
块状硅化物和硅-金属界面反应：Pd2Si，
影响因子：
3.7
作者：
A. Franciosi;J. H. Weaver
通讯作者：
J. H. Weaver