Controllable large scaled nanotwin formation in Cu film at lower temperatures
Controllable large scaled nanotwin formation in Cu film at lower temperatures
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较低温度下铜膜中可控的大规模纳米孪晶形成
DOI：
10.1088/0022-3727/49/40/40lt01
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发表时间：
2016-09
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Le Luo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gong Cheng;Le Luo
通过低温快速退火，发现Cu膜在冷却初期发生了一个突然的热应力松弛，大大增加了孪晶形核和生长的驱动力。因此，在晶片级的低至300 °C的温度下，在镀态Cu膜中成功地产生了高密度的纳米孪晶（nt），这比传统工艺（高于550 °C）低得多，使其与半导体工业完全兼容。这种增强的退火工艺不仅为大规模制备无空洞的纳米铜提供了一种低成本的方法，而且还提供了半定量可控的孪晶间距，同时也展示了纳米孪晶在微电子学应用中的前景和重要意义。
By means of low temperature rapid annealing, it is found that an abrupt thermal stressrelaxation occurs in Cu film at the beginning of cooling, which greatly increases the drivingforce for twin nucleation and growth. Consequently, high-density nanotwins (nt) aresuccessfully produced in as-plated Cu film at wafer-level under temperatures as low as 300 °C,which is much lower than conventional processes (above 550 °C), making it fully compatiblewith the semiconductor industry. This enhanced annealing processing provides not only a costeffective approach for large scaled void-free nt-Cu synthesis together with half-quantitatively controllable twin spacing, but demonstrates the prospect and significance of inconspicuousannealed nanotwins on the application of microelectronics.
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Y. L. Lu;Miaoquan Li;X. C. Li
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Di Xu;V. Sriram;V. Ozoliņš;Jenn‐Ming Yang;K. Tu;G. Stafford;C. Beauchamp
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