Physically-defined silicon triple quantum dots in metal-oxide-semiconductor structures

Physically-defined silicon triple quantum dots in metal-oxide-semiconductor structures
复制标题

金属氧化物半导体结构中物理定义的硅三量子点

DOI:
--
复制
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
and S. Oda
and S. Oda
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
S. Hiraoka;K. Horibe;R. Mizokuchi;T. Kodera;and S. Oda

文献摘要

参考文献

相似文献

DOI: 10.7567/1347-4065/ab65cf
发表时间: 2020-04-01
影响因子: 1.5
作者:
Tadokoro, Masahiro;Mizokuchi, Raisei;Kodera, Tetsuo
通讯作者: Kodera, Tetsuo
DOI: 10.1103/physrevb.70.033204
发表时间: 2004-07-01
期刊: PHYSICAL REVIEW B
影响因子: 3.7
作者:
Abe, E;Itoh, KM;Yamasaki, S
通讯作者: Yamasaki, S
DOI: 10.1038/nnano.2014.153
发表时间: 2014-09-01
影响因子: 38.3
作者:
Kawakami, E.;Scarlino, P.;Vandersypen, L. M. K.
通讯作者: Vandersypen, L. M. K.
在绝缘体上硅基板上制造的光刻定义的硅少电子量子点
DOI: --
发表时间: 2013
期刊:
影响因子: --
作者:
S. Kato;Y. Watanabe;Y. Kurokawa;A. Yamada;Y. Ohta;Y. Niwa;M. Hirota;K.Horibe,T.Kodera,T.Kambara,Y.Kawano,K.Uchida,S.Oda
通讯作者: K.Horibe,T.Kodera,T.Kambara,Y.Kawano,K.Uchida,S.Oda
DOI: 10.1038/nphys1053
发表时间: 2008-10-01
期刊: NATURE PHYSICS
影响因子: 19.6
作者:
Pioro-Ladriere, M.;Obata, T.;Tarucha, S.
通讯作者: Tarucha, S.