Heteroepitaxial Growth of Ferromagnetic MnSb(0001) Films on Ge/Si(111) Virtual Substrates.
Heteroepitaxial Growth of Ferromagnetic MnSb(0001) Films on Ge/Si(111) Virtual Substrates.
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DOI：
10.1021/cg4011136
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发表时间：
2013-11-06
影响因子：
3.8
通讯作者：
Bell, Gavin R.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Burrows, Christopher W.;Dobbie, Andrew;Myronov, Maksym;Hase, Thomas P. A.;Wilkins, Stuart B.;Walker, Marc;Mudd, James J.;Maskery, Ian;Lees, Martin R.;McConville, Christopher F.;Leadley, David R.;Bell, Gavin R.
采用减压化学气相沉积法在高质量、完全弛豫的Ge(111)/Si(111)虚拟衬底上实现了铁磁性MnSb(0001)的分子束外延生长。用反射高能电子衍射、同步加速器硬X射线衍射、X射线光电子能谱和磁测量对外延层进行了表征。MnSb薄膜的表面重构、磁性、结晶质量和应变松弛行为与生长在GaAs(111)上的MnSb薄膜相似。与GaAs衬底相比，衬底原子不会通过MnSb薄膜发生偏析，也不存在MnSb的交替晶型。我们利用分子束外延技术在Ge(111)虚拟衬底上生长了铁磁性的MnSb(0001)。所制备的MnSb薄膜具有较高的晶体质量，可与在GaAs111衬底上生长的薄膜相媲美。磁性能和应变弛豫类似于在GaAs上生长的薄膜。与MnSb-GaAs(111)不同的是，衬底原子不存在MnSb晶型和表面偏析。
Molecular beam epitaxial growth of ferromagnetic MnSb(0001) has been achieved on high quality, fully relaxed Ge(111)/Si(111) virtual substrates grown by reduced pressure chemical vapor deposition. The epilayers were characterized using reflection high energy electron diffraction, synchrotron hard X-ray diffraction, X-ray photoemission spectroscopy, and magnetometry. The surface reconstructions, magnetic properties, crystalline quality, and strain relaxation behavior of the MnSb films are similar to those of MnSb grown on GaAs(111). In contrast to GaAs substrates, segregation of substrate atoms through the MnSb film does not occur, and alternative polymorphs of MnSb are absent. We use molecular beam epitaxy to grow ferromagnetic MnSb(0001) on Ge(111) virtual substrates on Si(111). The MnSb thin films are of high crystal quality, comparable to films grown on GaAs(111). Magnetic properties and strain relaxation are similar to films on GaAs. In contrast to MnSb-GaAs(111), alternative MnSb polymorphs and surface segregation of substrate atoms are both absent.
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