Development of fast photospeed chemically amplified resist in EUVL
Development of fast photospeed chemically amplified resist in EUVL
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EUVL 中快速光速化学放大抗蚀剂的开发
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Y.Lee
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Watanabe;H.Kinoshita;N.Sakaya;T.Shoki;S.Y.Lee
NewSUBARU 的新型极紫外光刻抗蚀剂评估系统
影响因子：
1.5
作者：
Takeo Watanabe;H. Kinoshita;N. Sakaya;T. Shoki;S. Y. Lee
通讯作者：
S. Y. Lee
抵抗 EUV 辐射的脱气
影响因子：
0.8
作者：
Takeo Watanabe;K. Hamamoto;H. Kinoshita;H. Tsubakino;H. Hada;H. Komano;M. Endo;M. Sasago
通讯作者：
M. Sasago
通过 EUV 光刻复制精细图案
影响因子：
0.8
作者：
K. Hamamoto;Takeo Watanabe;H. Tsubakino;H. Kinoshita;T. Shoki;M. Hosoya
通讯作者：
M. Hosoya