Piezoresistive cantilevers using InAs-based 2D Heterostructures
Piezoresistive cantilevers using InAs-based 2D Heterostructures
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使用基于 InAs 的二维异质结构的压阻悬臂梁
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Yamaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Kotani;M.Tachibana;K;Takamasu;H.Yamaguchi
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集成GaAs/AlGaAs二维电子系统的微机电谐振器
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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作者：
H.Yamaguchi;I.Mahboob;H.Okamoto
通讯作者：
H.Okamoto
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影响因子：
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作者：
H. Yamaguchi;S. Miyashita;Y. Hirayama
通讯作者：
Y. Hirayama
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C. Yuan;E. Batalla;M. Zacher;A. D. Lozanne;M. D. Kirk;M. Tortonese
通讯作者：
M. Tortonese
自由悬浮半导体膜中电子气维数的原位控制
DOI：
10.1063/1.1580641
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
Eva M. Höhberger;Tomas Krämer;W. Wegscheider;R. Blick
通讯作者：
R. Blick