Metal organic vapor phase epitaxial growth of heavily carbon-doped GaAs using a dopant source of CCl3 and quantitative analysis of the compensation mechanism in the epilayers
Metal organic vapor phase epitaxial growth of heavily carbon-doped GaAs using a dopant source of CCl3 and quantitative analysis of the compensation mechanism in the epilayers
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使用 CCl3 掺杂源的金属有机气相外延生长重碳掺杂 GaAs 以及外延层补偿机制的定量分析
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Bhunia
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Balakrishnan;S.Iida;M.Kumagawa;Y.Hayakawa;S.Bhunia
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