Molecular beam epitaxial growth of zinc blende MgS on GaAs (2 1 1)B substrates
Molecular beam epitaxial growth of zinc blende MgS on GaAs (2 1 1)B substrates
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GaAs (2 1 1)B 衬底上闪锌矿 MgS 的分子束外延生长
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2017.12.043
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发表时间：
2018
影响因子：
1.8
通讯作者：
Zhu J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhu J
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使用 MgS 释放层从 III-V 衬底上外延剥离 II-VI 半导体
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Rajan;I. A. Davidson;R. Moug;K. Prior
通讯作者：
K. Prior
(2 1 1)B GaAs 衬底上 ZnSe 和 ZnCdSe 的生长
DOI：
--
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Telfer;G. Horsburgh;J. Milnes;C. Morhain;P. J. Thompson;K. Prior;B. Cavenett
通讯作者：
B. Cavenett
影响因子：
4
作者：
Balocchi, A;Curran, A;Warburton, RJ
通讯作者：
Warburton, RJ
基于各向同性半导体（硒化锌和砷化镓）的新型中红外光源，采用全内反射准相位匹配
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
Saratov Fall Meeting
影响因子：
--
作者：
R. Haidar;P. Kupecek;E. Rosencher;R. Triboulet;P. Lemasson
通讯作者：
P. Lemasson
(2 1 1)B GaAs 上生长的 ZnSe/ZnCdSe 单量子阱压电效应的光谱研究
DOI：
--
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Milnes;C. Morhain;S. Telfer;W. Meridith;T. A. Steele;K. Prior;B. Cavenett
通讯作者：
B. Cavenett