Enhancement in light efficiency of a GaN:Eu red light-emitting diode by pulse-controlled injected charges
Enhancement in light efficiency of a GaN:Eu red light-emitting diode by pulse-controlled injected charges
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通过脉冲控制注入电荷提高 GaN:Eu 红色发光二极管的光效率
DOI：
10.1063/1.4900840
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发表时间：
2014
影响因子：
4
通讯作者：
and Y. Fujiwara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Ishii;A. Koizumi;and Y. Fujiwara
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p-GaN/Eu 掺杂 GaN/n-GaN 发光二极管电流注入红光发射的低压工作
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
Physica Status Solidi(a) (印刷中)
影响因子：
--
作者：
藤原康文;西川敦;寺井慶和;Tadashi Takayanagi;藤原康文;M. Sasaki;H.Kasai;Misao Sasaki;西川敦
通讯作者：
西川敦
影响因子：
4
作者：
Nishikawa, A.;Furukawa, N.;Fujiwara, Y.
通讯作者：
Fujiwara, Y.
Yb 4f 壳层和 InP 主体之间的多声子辅助能量转移
影响因子：
3.2
作者：
A. Taguchi;K. Takahei;Y. Horikoshi
通讯作者：
Y. Horikoshi
影响因子：
1.5
作者：
Fujiwara, Yasufumi;Dierolf, Volkmar
通讯作者：
Dierolf, Volkmar
GaAs、InP和GaP中稀土元素铒注入的光致发光优化及特性
影响因子：
3.2
作者：
G. Pomrenke;H. Ennen;W. Haydl
通讯作者：
W. Haydl