Formation of Si/SiC heterostructures for silicon-based quantum devices using single CH_3SiH_3-gas source free jet
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使用单CH_3SiH_3无气源射流形成硅基量子器件的Si/SiC异质结构
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Motooka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R.Ohtani;Y.Ikoma;T.Motooka
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通过 SiC/Si-dot/SiC 异质结构的空穴共振隧穿
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.389-393.751
发表时间：
2002
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
Y. Ikoma;K. Uchiyama;F. Watanabe;T. Motooka
通讯作者：
T. Motooka
DOI：
10.1143/jjap.38.l301
发表时间：
1999-03-15
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
影响因子：
--
作者：
Ikoma, Y;Endo, T;Motooka, T
通讯作者：
Motooka, T
第 10 章 - 高速谐振隧道二极管
DOI：
10.1016/b978-0-12-234124-3.50015-x
发表时间：
1994
期刊：
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影响因子：
--
作者：
E. Brown
通讯作者：
E. Brown
单气源CH_3SiH_3超音速自由射流在Si(100)上形成SIC/Si多层结构
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Materials Science Forum 457-460
影响因子：
--
作者：
Y.Ikoma;R.Ohtani;T.Motooka
通讯作者：
T.Motooka
影响因子：
5
作者：
M. Mehregany;C. Zorman
通讯作者：
C. Zorman