Isotropic plasma-thermal atomic layer etching of superconducting titanium nitride films using sequential exposures of molecular oxygen and SF6/H2 plasma
Isotropic plasma-thermal atomic layer etching of superconducting titanium nitride films using sequential exposures of molecular oxygen and SF6/H2 plasma
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使用分子氧和 SF6/H2 等离子体的连续暴露对超导氮化钛薄膜进行各向同性等离子体热原子层蚀刻
DOI：
10.1116/6.0002965
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发表时间：
2023
影响因子：
2.9
通讯作者：
Minnich, Austin J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hossain, Azmain A.;Wang, Haozhe;Catherall, David S.;Leung, Martin;Knoops, Harm C.;Renzas, James R.;Minnich, Austin J.
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影响因子：
2.3
作者：
J. Musschoot;Qi Xie;D. Deduytsche;S. V. D. Berghe;R. Meirhaeghe;C. Detavernier
通讯作者：
J. Musschoot;Qi Xie;D. Deduytsche;S. V. D. Berghe;R. Meirhaeghe;C. Detavernier
使用 SF6 等离子体和 Al(CH3)3 进行氮化铝各向同性等离子体热原子层蚀刻
影响因子：
2.9
作者：
Wang, Haozhe;Hossain, Azmain;Catherall, David;Minnich, Austin J.
通讯作者：
Minnich, Austin J.
用于半导体加工的数字化学气相沉积和蚀刻技术
DOI：
--
发表时间：
1990
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y. Horiike;Takashi Tanaka;M. Nakano;S. Iseda;H. Sakaue;A. Nagata;H. Shindo;S. Miyazaki;M. Hirose
通讯作者：
M. Hirose
使用氟化氢和三甲基铝连续暴露进行 Al2O3 快速原子层蚀刻，无需吹扫
影响因子：
2.9
作者：
David R. Zywotko;J. Faguet;S. George
通讯作者：
S. George
SF6/H2 和 SF6/D2 等离子体蚀刻 Si3N4
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Physics: Conference Series
影响因子：
--
作者：
P. Pankratiev;Yuri Barsukov;A. Kobelev;A. Vinogradov;I. Miroshnikov;A. S. Smirnov
通讯作者：
A. S. Smirnov