Isotropic plasma-thermal atomic layer etching of aluminum nitride using SF6 plasma and Al(CH3)3
Isotropic plasma-thermal atomic layer etching of aluminum nitride using SF6 plasma and Al(CH3)3
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使用 SF6 等离子体和 Al(CH3)3 进行氮化铝各向同性等离子体热原子层蚀刻
DOI：
10.1116/6.0002476
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发表时间：
2023
影响因子：
2.9
通讯作者：
Minnich, Austin J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Haozhe;Hossain, Azmain;Catherall, David;Minnich, Austin J.
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DOI：
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通讯作者：
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通讯作者：
M. Hirose