Effects of Varying Substrate Thickness on the Collected Charge From Highly Irradiated Planar Silicon Detectors
Effects of Varying Substrate Thickness on the Collected Charge From Highly Irradiated Planar Silicon Detectors
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不同衬底厚度对高辐照平面硅探测器收集电荷的影响
DOI：
10.1109/tns.2011.2171058
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发表时间：
2011
影响因子：
1.8
通讯作者：
Affolder A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Affolder A
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辐射至 $1 imes 10^{16} {hbox {n}} {hbox {cm}}^{-2}$ 的分段硅探测器的电荷收集效率测量
影响因子：
1.8
作者：
G. Casse;A. Affolder;Phil Allport
通讯作者：
Phil Allport
DOI：
10.1109/nssmic.2001.1009703
发表时间：
2001
期刊：
2001 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record (Cat. No.01CH37310)
影响因子：
--
作者：
G. Kramberger;V. Cindro;I. Mandić;M. Mikuž
通讯作者：
M. Mikuž
不同基板厚度的浮区和外延平面硅探测器在辐照后的评估 $2 imes 10^{16}$ ${
m n}_{
m eq}$ cm$^{- 2}$
影响因子：
1.8
作者：
G. Casse;A. Affolder;P. Allport;M. Wormald
通讯作者：
M. Wormald
外延硅二极管辐射感应电荷倍增区的特性☆
DOI：
10.1016/j.nima.2010.07.036
发表时间：
2010
影响因子：
1.4
作者：
J. Lange;J. Becker;E. Fretwurst;R. Klanner;G. Lindstrom
通讯作者：
G. Lindstrom
ATLAS 平面像素传感器 R
DOI：
10.1109/nssmic.2009.5402434
发表时间：
2009
期刊：
2009 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record (NSS/MIC)
影响因子：
--
作者：
M. Beimforde;D. Muenstermann
通讯作者：
D. Muenstermann