Silicon Nanowires Synthesis by Metal-Assisted Chemical Etching: A Review.
Silicon Nanowires Synthesis by Metal-Assisted Chemical Etching: A Review.
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DOI：
10.3390/nano11020383
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发表时间：
2021-02-03
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Irrera A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Leonardi AA;Faro MJL;Irrera A
在所有工业材料中，硅是微电子学无可争议的领导者，由于纳米尺度上新物理性质的兴起，硅纳米结构作为明天技术的天然候选者而蓬勃发展。特别是，硅纳米线（Si NW）正在成为一个有前途的资源，在不同的领域，如电子，光伏，光子学和传感。尽管硅纳米线的合成技术很多，但金属辅助化学蚀刻（MACE）是当今具有成本效益的硅纳米材料制造的前沿技术，已经在几个研究实验室中采用。在这些年中，MACE展示了Si NW制造的有趣结果，优于其他方法。本文对硅纳米线的所有主要MACE路线进行了批判性研究，并对不同MACE方法的优缺点进行了比较。所有这些制造技术的设备，成本，工艺的复杂性，可重复性方面进行了研究，还分析了这些技术的微电子商业转移的可能性，以及哪一个可能是首选的工业方法。
Silicon is the undisputed leader for microelectronics among all the industrial materials and Si nanostructures flourish as natural candidates for tomorrow’s technologies due to the rising of novel physical properties at the nanoscale. In particular, silicon nanowires (Si NWs) are emerging as a promising resource in different fields such as electronics, photovoltaic, photonics, and sensing. Despite the plethora of techniques available for the synthesis of Si NWs, metal-assisted chemical etching (MACE) is today a cutting-edge technology for cost-effective Si nanomaterial fabrication already adopted in several research labs. During these years, MACE demonstrates interesting results for Si NW fabrication outstanding other methods. A critical study of all the main MACE routes for Si NWs is here presented, providing the comparison among all the advantages and drawbacks for different MACE approaches. All these fabrication techniques are investigated in terms of equipment, cost, complexity of the process, repeatability, also analyzing the possibility of a commercial transfer of these technologies for microelectronics, and which one may be preferred as industrial approach.
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