Formation of Co_2FeSi/SiO_xN_y/Si tunnel junctions for Si-based spin transistors
Formation of Co_2FeSi/SiO_xN_y/Si tunnel junctions for Si-based spin transistors
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Si基自旋晶体管Co_2FeSi/SiO_xN_y/Si隧道结的形成
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Satoshi Sugahara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kengo Hayashi;Yota Takamura;Ryosyo Nakane;Satoshi Sugahara
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