Selected area laser-crystallized polycrystalline silicon thin films by a pulsed Nd:YAG laser with 355 nm wavelength
Selected area laser-crystallized polycrystalline silicon thin films by a pulsed Nd:YAG laser with 355 nm wavelength
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使用 355 nm 波长的脉冲 Nd:YAG 激光进行选区激光结晶多晶硅薄膜
DOI：
10.1088/1674-4926/32/12/123002
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发表时间：
2011-12
影响因子：
5.1
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
利用固体脉冲Nd：YAG激光器产生的三次谐波（355 nm波长）制备了选区激光晶化多晶硅（p-Si）薄膜。分析了400 nm厚薄膜激光辐照后的表面形貌。拉曼光谱表明，薄膜的结晶度随激光能量的增加而提高。最佳激光能量密度对薄膜厚度敏感。对于300 nm厚的非晶硅膜，有效结晶非晶硅膜的激光能量密度在440-634 mJ/cm ~ 2之间，对于400 nm厚的非晶硅膜，激光能量密度在777-993 mJ/cm ~ 2之间。对于300、400和500 nm厚的薄膜，最佳激光能量密度分别为634、975和1571 mJ/cm 2。
Selected area laser-crystallized polycrystalline silicon (p-Si) thin films were prepared by the third har- monics (355 nm wavelength) generated by a solid-state pulsed Nd:YAG laser. Surface morphologies of 400 nm thick films after laser irradiation were analyzed. Raman spectra show that film crystallinity is improved with in- crease of laser energy. The optimum laser energy density is sensitive to the film thickness. The laser energy density for efficiently crystallizing amorphous silicon films is between 440-634 mJ/cm 2 for 300 nm thick films and be- tween 777-993 mJ/cm 2 for 400 nm thick films. The optimized laser energy density is 634, 975 and 1571 mJ/cm 2 for 300, 400 and 500 nm thick films, respectively.
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DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
C. Droz
通讯作者：
C. Droz
影响因子：
2.1
作者：
CAMPBELL, IH;FAUCHET, PM
通讯作者：
FAUCHET, PM
影响因子：
6.3
作者：
M. Cerqueira;J. Ferreira
通讯作者：
M. Cerqueira;J. Ferreira
影响因子：
8.7
作者：
A. Focsa;I. Gordon;J. Auger;A. Slaoui;G. Beaucarne;J. Poortmans;C. Maurice
通讯作者：
A. Focsa;I. Gordon;J. Auger;A. Slaoui;G. Beaucarne;J. Poortmans;C. Maurice
影响因子：
4.1
作者：
Palani, I. A.;Vasa, Nilesh J.;Singaperumal, M.
通讯作者：
Singaperumal, M.