Soft Error Immunity of Subthreshold SRAM
Soft Error Immunity of Subthreshold SRAM
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亚阈值 SRAM 的软错误抗扰度
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Hashimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Gen Hori;Hirokazu Kameoka;Shigeki Sagayama;M. Hashimoto
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超低电压下SRAM的软错误以及陆地环境中二次质子的影响
影响因子：
1.8
作者：
T. Uemura;T. Kato;H. Matsuyama;M. Hashimoto
通讯作者：
M. Hashimoto
65 nm 10T 亚阈值 SRAM 中中子引起的软错误和多单元翻转
影响因子：
1.8
作者：
H. Fuketa;M. Hashimoto;Y. Mitsuyama;T. Onoye
通讯作者：
T. Onoye
DOI：
10.1109/tvlsi.2010.2101089
发表时间：
2012-02-01
影响因子：
2.8
作者：
Fuketa, Hiroshi;Hashimoto, Masanori;Onoye, Takao
通讯作者：
Onoye, Takao
基于改进BGR模型的中子诱发软错误率简单估计方法
影响因子：
4.9
作者：
Y. Tosaka;H. Kanata;S. Satoh;T. Itakura
通讯作者：
T. Itakura
采用 90/130 nm 技术的先进 CMOS 电路中软错误的综合研究
DOI：
10.1109/iedm.2004.1419339
发表时间：
2004
期刊：
IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004.
影响因子：
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作者：
Y. Tosaka;H. Ehara;M. Igeta;T. Uemura;H. Oka;N. Matsuoka;K. Hatanaka
通讯作者：
K. Hatanaka