SiC Heterojunction Bipolar Transistors with AlN/GaN Short-Period Superlattice Widegap Emitter
SiC Heterojunction Bipolar Transistors with AlN/GaN Short-Period Superlattice Widegap Emitter
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具有 AlN/GaN 短周期超晶格宽禁带发射极的 SiC 异质结双极晶体管
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Miyake;T.Kimoto;J.Suda
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10.1016/j.jcrysgro.2005.01.036
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Okumura
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10.1109/drc.1995.496291
发表时间：
1995
期刊：
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通讯作者：
B. van Zeghbroeck
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通讯作者：
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DOI：
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发表时间：
1998
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通讯作者：
T. Moustakas