Electrical properties of Bi-implanted amorphous chalcogenide films
Electrical properties of Bi-implanted amorphous chalcogenide films
复制标题
双注入非晶硫属化物薄膜的电性能
DOI：
10.1016/j.tsf.2015.05.036
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Fedorenko Y
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fedorenko Y
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硫系玻璃半导体掺杂效应的正电子湮灭研究
DOI：
--
发表时间：
1984
期刊：
影响因子：
--
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通讯作者：
E. Turkina
硫族化物玻璃和层中的 N 型电导率
DOI：
--
发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Frumar;L. Tichy
通讯作者：
L. Tichy
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
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Pb−Ge−Se 玻璃中载流子类型反转的起源：详细的热、电和结构研究§
DOI：
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发表时间：
1997
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影响因子：
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通讯作者：
K. Rao
影响因子：
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作者：
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通讯作者：
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