Electrical transport properties of boron-doped single-walled carbon nanotubes
Electrical transport properties of boron-doped single-walled carbon nanotubes
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硼掺杂单壁碳纳米管的电传输特性
DOI：
10.1063/1.4790505
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发表时间：
2013-02
影响因子：
3.2
通讯作者：
R. Hatakeyama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y.F. Li;Y.Wang;S.M. Chen;H.F. Wang;T. Kaneko;R. Hatakeyama
从实验和理论两方面研究了硼掺杂单壁碳纳米管的输运性质。实验发现，B掺杂后，单壁碳纳米管的半导体行为发生了显著的变化，在低温下观察到了异常的电流突变，这可能意味着B掺杂后单壁碳纳米管发生超导转变的可能性。利用密度泛函紧束缚计算，观察到B掺杂导致费米能级附近的态密度峰向价带区移动，表现出明显的电荷转移特性，这与实验观察相一致.
The transport properties of B-doped single-walled carbon nanotubes (SWNTs) are studied from both experimental and theoretical standpoints. Experimentally, it is found that the semiconducting behavior of SWNTs is drastically changed after B-doping, and the unusual abrupt current drops are observed at low temperatures, which may imply the possibility of superconducting transition in B-doped SWNTs. Using the density-functional tight-binding calculation, it is observed that B-doping induces the presence of density of state peaks near the Fermi level which shifts toward the valence band region, showing a clear charge-transfer characteristic, which agrees well with the experimental observations.
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DOI：
10.1007/s003390051004
发表时间：
1999-09
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
--
作者：
J. Nygård;D. Cobden;M. Bockrath;P. McEuen;P. Lindelof
通讯作者：
J. Nygård;D. Cobden;M. Bockrath;P. McEuen;P. Lindelof
影响因子：
4
作者：
J. Nakamura;M. Matsudaira;J. Haruyama;H. Sugiura;M. Tachibana;J. Reppert;A. Rao;T. Nishio;Y. Hasegawa;H. Sano;Y. Iye
通讯作者：
J. Nakamura;M. Matsudaira;J. Haruyama;H. Sugiura;M. Tachibana;J. Reppert;A. Rao;T. Nishio;Y. Hasegawa;H. Sano;Y. Iye
影响因子：
4
作者：
Martel, R;Schmidt, T;Avouris, P
通讯作者：
Avouris, P
DOI：
10.1103/physrevb.47.1708
发表时间：
1993-01
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Yi;Bernholc
通讯作者：
Yi;Bernholc
影响因子：
15
作者：
Li, Yongfeng;Kaneko, Toshiro;Hatakeyama, Rikizo
通讯作者：
Hatakeyama, Rikizo