Lateral charge spreading and device-to-device coupling in C-doped AlGaN/GaN-on-Si wafers
Lateral charge spreading and device-to-device coupling in C-doped AlGaN/GaN-on-Si wafers
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C 掺杂 AlGaN/GaN-on-Si 晶圆中的横向电荷扩散和器件间耦合
DOI：
10.1016/j.microrel.2019.02.012
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发表时间：
2019
影响因子：
1.6
通讯作者：
Singh M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Singh M
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小型和大型 C 掺杂 AlGaN/GaN-on-Si HEMT 中的动态 Ron
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Karboyan;M. Uren;Sara Martin Horcajo;J. Pomeroy;I. Chatterjee;P. Moens;A. Banerjee;M. Caesar;M. Kuball
通讯作者：
M. Kuball
影响因子：
3.1
作者：
Chatterjee, Indranil;Uren, Michael J.;Kuball, Martin
通讯作者：
Kuball, Martin
应力电压对硅基氮化镓晶体管动态缓冲响应的影响
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Yacoub;D. Fahle;M. Eickelkamp;A. Wille;C. Mauder;M. Heuken;H. Kalisch;A. Vescan
通讯作者：
A. Vescan
DOI：
--
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Shur;A. Bykhovski;R. Gaska
通讯作者：
R. Gaska
消除金刚石基氮化镓中的泄漏
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
2016 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)
影响因子：
--
作者：
B. Alvarez;D. Francis;F. Faili;F. Lowe;D. Twitchen;K. B. Lee;Peter A. Houston
通讯作者：
Peter A. Houston